STMicroelectronics STD9N60M6 - MOSFET Canale N 600V 6A DPAK

STMicroelectronics STD9N60M6 - MOSFET N-channel 600V 6A DPAK

Descrizione

Il STD9N60M6 di STMicroelectronics è un MOSFET N-channel da 600V con corrente di drain fino a 6A, progettato per applicazioni di switching ad alta efficienza. Realizzato con la nuova tecnologia MDmesh M6, garantisce perdite di commutazione ridotte e resistenza R_DS(on) più bassa rispetto alle generazioni precedenti. Con protezione Zener integrata e pienamente testato per l'effetto valanga, questo dispositivo in package DPAK offre un'eccellente affidabilità e prestazioni ideali per convertitori LLC, PFC boost e switching ad alta frequenza.

Caratteristiche principali

• Tensione drain-source: 600 V
• Corrente di drain: 6 A continua, 13.4 A impulsiva
• R_DS(on) tipica: 670 mΩ
• Gate charge totale: 10 nC
• Pacchetto: DPAK (TO-252)
• Commutazione veloce: Rise time 4.1 ns, Fall time 8.8 ns
• Protezione Zener integrata
• 100% test avalanche
• Bassa resistenza d'ingresso del gate

Applicazioni

• Convertitori LLC e risonanti
• Convertitori PFC boost
• Alimentatori switching

Dati tecnici

Codici prodotto

210STD9N60M6, STD9N60M6, 081737

Tag e parole chiave

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