Marca:
Vishay
SQ2364EES-T1-GE3 mosfet N 60V 1.3A SOT23 SMD Vishay Siliconix
Art. #: 210SQ2364EEST1GE3
Disponibilità:
disponibile
| Quantità | Prezzo | IVA esclusa | IVA inclusa* |
|---|---|---|---|
| 1 | Listino | € 1,365 | € 1,665 |
| 1 | Promo | € 1,2285 | € 1,4988 |
| 5 | 5% | € 1,16708 | € 1,42384 |
| 10 | 10% | € 1,10565 | € 1,34889 |
* In fase di conferma d'ordine, i prezzi IVA inclusa verranno arrotondati alla seconda cifra decimale in accordo alla normativa vigente
Vishay Siliconix SQ2364EES-T1-GE3 mosfet N 60V 1.3A SOT23 SMD
- Tipo FET: Canale N
- Tecnologia: MOSFET (ossido di metallo)
- Tensione drain/source (Vdss): 60 V
- Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C: 2 A (Tc)
- Tensione di comando (RDSon max, RDSon min): 1,5V, 4,5V
- RDSon (max) a Id, Vgs: 240mohm a 2A, 4,5V
- Vgs(th) max a Id: 1V a 250µA
- Carica del gate (Qg) max a Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
- Vgs (max): ±8V
- Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds: 330 pF @ 25 V
- Dissipazione di potenza (max): 3W (Tc)
- Tipo di montaggio: A montaggio superficiale SMD
- Contenitore del fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
