IXYS-IX..50P.pdf
(399.93 KB)
IXYS IXFH26N50P | Mosfet N 500V 26A TO247
Art. #: 210IXFH26N50P
| Quantità | Prezzo | IVA esclusa | IVA inclusa* |
|---|---|---|---|
| 1 | Listino | 9,70 € | 11,834 € |
| 5 | 5% | 9,215 € | 11,2423 € |
| 10 | 10% | 8,73 € | 10,6506 € |
MOSFET N-Channel IXFH26N50P 500V 26A TO-247
Descrizione
Il MOSFET N-Channel IXYS IXFH26N50P è progettato per applicazioni ad alta potenza e commutazione veloce. Appartenente alla famiglia PolarHV™ HiPerFET™, questo dispositivo supporta tensioni di drain-source fino a 500V e correnti continue fino a 26A. Offre una resistenza RDS(on) massima di 230 mΩ e una rapida risposta grazie a un tempo di recupero inverso di soli 200ns. Il package TO-247 assicura una gestione termica eccellente e una facile integrazione in sistemi di potenza. È adatto a commutazione induttiva non clampata (UIS), presenta un diodo intrinseco veloce e un design che consente una semplice protezione e pilotaggio del gate. Compatibile anche con le versioni IXFV26N50P e IXFV26N50PS.
Caratteristiche principali
- Tipo: N-Channel Enhancement Mode
- Tensione Vds: 500V
- Corrente Id @25°C: 26A
- RDS(on) max: 230 mΩ
- Pacchetto: TO-247
- Diode intrinseco veloce
- Commutazione veloce
- Alta densità di potenza
- Montaggio semplice
- Adatto per UIS (Unclamped Inductive Switching)
Dati tecnici principali
| Parametro | Valore |
|---|---|
| VDSS | 500 V |
| VGSS (continua/transitoria) | ±30 V / ±40 V |
| ID @ 25°C | 26 A |
| IDM (pulsata) | 78 A |
| RDS(on) max | 230 mΩ |
| Qg(on) | 60 nC |
| Ciss | 3600 pF |
| td(on) | 20 ns |
| trr | 200 ns |
| Potenza dissipata (PD) | 400 W |
| Temperatura di giunzione | -55 °C ... +150 °C |
Codici prodotto
210IXFH26N50P, IXFH26N50P, 081801
Parole chiave
IXFH26N50P, IXFV26N50P, IXFV26N50PS, MOSFET TO-247, Power MOSFET, IXYS MOSFET, HiPerFET, PolarHV, N-Channel MOSFET, 500V MOSFET, 26A MOSFET, Fast Diode MOSFET, RDSon 230mΩ, TO247 MOSFET, UIS rated, switching MOSFET, high power MOSFET, transistor IXYS, MOSFET alta tensione, semiconduttore di potenza, dispositivo switching veloce, dissipazione 400W, gate charge 60nC, capacitanza input 3600pF, velocità commutazione MOSFET, dispositivi TO247, elettronica di potenza, IXYS PolarHV, IXYS HiPerFET, N-channel transistor, commutazione rapida, circuiti ad alta tensione, progettazione circuiti di potenza, efficienza energetica, semiconduttore industriale, automazione industriale, controllo motore, inverter MOSFET, switching driver, protezione sovratensione, componenti elettronici, transistor ad alte prestazioni, controllo potenza, gestione termica TO247, dispositivo robusto, drain-source 500V, thermal resistance 0.31°C/W, datasheet IXFH26N50P, IXYS datasheet, IXYS Europe, IXYS componenti
