std9n60m6.pdf
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STMicroelectronics STD9N60M6 - MOSFET Canale N 600V 6A DPAK
Art. #: 210STD9N60M6
| Quantità | Prezzo | IVA esclusa | IVA inclusa* |
|---|---|---|---|
| 1 | Listino | 3,633 € | 4,43226 € |
STMicroelectronics STD9N60M6 - MOSFET N-channel 600V 6A DPAK
Descrizione
Il STD9N60M6 di STMicroelectronics è un MOSFET N-channel da 600V con corrente di drain fino a 6A, progettato per applicazioni di switching ad alta efficienza. Realizzato con la nuova tecnologia MDmesh M6, garantisce perdite di commutazione ridotte e resistenza RDS(on) più bassa rispetto alle generazioni precedenti. Con protezione Zener integrata e pienamente testato per l'effetto valanga, questo dispositivo in package DPAK offre un'eccellente affidabilità e prestazioni ideali per convertitori LLC, PFC boost e switching ad alta frequenza.
Caratteristiche principali
- Tensione drain-source: 600 V
- Corrente di drain: 6 A continua, 13.4 A impulsiva
- RDS(on) tipica: 670 mΩ
- Gate charge totale: 10 nC
- Pacchetto: DPAK (TO-252)
- Commutazione veloce: Rise time 4.1 ns, Fall time 8.8 ns
- Protezione Zener integrata
- 100% test avalanche
- Bassa resistenza d'ingresso del gate
Applicazioni
- Convertitori LLC e risonanti
- Convertitori PFC boost
- Alimentatori switching
Dati tecnici
| Parametro | Valore | Unità |
| Tensione drain-source (VDS) | 600 | V |
| Corrente di drain (ID) | 6 | A |
| Resistenza RDS(on) | 670 - 750 | mΩ |
| Gate charge totale (Qg) | 10 | nC |
| Capacità di ingresso (Ciss) | 273 | pF |
| Energia avalanche singola (EAS) | 95 | mJ |
| Temperatura operativa | -55 ~ +150 | °C |
| Package | DPAK | TO-252 |
| Marcatura | 9N60M6 | - |
Codici prodotto
210STD9N60M6, STD9N60M6, 081737
Tag e parole chiave
STMicroelectronics, MOSFET, N-channel, 600V, 6A, DPAK, TO-252, STD9N60M6, transistor di potenza, switching, convertitore LLC, convertitore PFC, alta efficienza, gate charge, dissipazione potenza, protezione Zener, avalanche, fast switching, riduzione perdite, RDSon basso, MDmesh M6, elettronica di potenza, power electronics, switching veloce, convertitore risonante, FET, semiconduttore, transistor, ST MOSFET, componenti elettronici, dispositivi di potenza, RDSon, capacitance, Qg, gate threshold, switching MOSFET, applicazioni industriali, alimentatori, driver LED, dispositivi ST, DPAK MOSFET, TO252 FET, componenti montaggio superficiale, tape and reel, ST9N60M6, 9N60M6
